JEDEC發布量測SiC MOSTET閾電壓(Threshold Voltage, VT)指引JEP183，該指引的第一個版本由JEDEC JC-70.2碳化矽小組開發，相關文件可以在JEDEC官網下載。
JC-70.2小組主席Jeffrey Casady表示，建議將JEP183用在精確及可重複性高的SiC MOSFET閾電壓量測工作，有助於確保SiC裝置成功導入汽車及工業應用市場。JC-70.2小組副主席Peter Friedrichs博則認為，在生態系中加入JEP183，將能滿足產業內對統一標準的需求。
此量測方法注重在MOSFET技術的N通道垂直結構，提供SiC MOSFET基礎的測試準則，促使JEP183成為可廣泛應用在量測SiC功率裝置的閾電壓。為了維持彈性，JEP183的三種測試方法都可以應用在產品規格手冊(datasheet)、製程控制、計畫開發及最終測試等場景。閾電壓是評估電壓、熱應力等物理特性的關鍵數值，如果不精準測量閾電壓，就無法監控設備特性如何受到不同的壓力影響。而SiC MOSFET的SiC/SiO2介面比Si/SiO2介面更複雜，因此需要更仔細監控設備特性的變化。
